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100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用，高静电放电抗扰度为这一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造，使用 TSOP6F封装，具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外，TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。
应用场合
汽车LED前照灯驱动器
特点
小型封装
高效静电放电保护
低RDS(ON)
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主要规格
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(@Ta=25℃)
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项目
(Ta=25℃) |
SSM6N813R
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绝对最大额定值
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漏源极电压
VDSS (V) |
100
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栅源极电压
VGSS (V) |
+/-20
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漏极电流
ID (A) |
3.5
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电气特性
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漏源极导通电阻
RDS(ON)最大值 (mΩ) |
VGS=10V
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112
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VGS=4.5V
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154
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输入电容
Ciss典型值(pF) |
242
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封装
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TSOP6F
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2.9mm×2.8mm；t=0.8mm
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东芝：搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。
东芝：双MOSFET“SSM6N813R”标记电路和等效电路
