高亮度垂直结构LED 通常情况下，蓝光/绿光LED是由几微米厚的氮化镓（GaN）薄膜在蓝宝石衬底上外延生长形成的。 一些LED的制造成本主要取决于蓝宝石衬底本身的成本和划片-裂片加工成本。对于传统的LED倒装横向结构，蓝宝石是不会被剥离的，因此，阴和阳都在同一侧的氮化镓外延层（epi）。 这种横向结构对于高亮度LED有几个缺点：材料内电流密度大、电流拥挤、可靠性较差、寿命较短；此外，通过蓝宝石的光损很大。
设计人员通过聚广恒光纤激光打标机剥离（LLO）工艺可以实现垂直结构的LED，它克服了传统的横向结构的多种缺陷。垂直结构LED可以提供大的电流，除电流拥挤问题以及器件内的瓶颈问题，显着提LED的大输出光功率与大效率。
垂直LED结构要求在加电之前剥离掉蓝宝石。准分子聚广恒光纤激光打标机器已被证明是分离蓝宝石与氮化镓薄膜的效工具。LED聚广恒光纤激光打标机剥离技术大大减少了LED加工时间，降了生产成本，使制造商在蓝宝石晶圆上生长氮化镓LED薄膜器件，并使薄膜器件与热沉进行电互连。这个工艺使得氮化镓薄膜可以立于支撑物，并且氮化镓LED可以集成到任基板上。
