东芝电子元件及存储装置株式会社面向继电器驱动器推出小型双MOSFET

发布日期：2018-01-31 华人喷码网来源：美国商业资讯

核心提示东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFETSSM6N357R，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。

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SSM6N357R集成有下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管，有助于减少零部件数量并节省电路板空间。此外，由于该产品采用双列直插式封装（二合一），与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单列直插式封装产品的替代方案相比，其安装面积减小42%。

SSM6N357R采用行业标准的TSOP6F级封装，具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证，因此适合于汽车和许多其他应用。

应用场合

汽车应用的继电器和螺线管控制
工业应用的继电器和螺线管控制
办公设备离合器控制

特点

节省电路板空间且元器件数量减少（实现了下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管的集成。）
3.0V的低工作电压
双列直插式封装（二合一）
通过AEC-Q101认证


主要规格
(@T_a=25°C)
项目			特性
绝对最大额定值	漏源极电压 V_DSS (V)		60
	栅源极电压 V_GSS (V)		±12
	漏极电流 I_D (A)		0.65
电气特性	漏源极导通电阻 R_DS(ON)最大值(mΩ)	\|V_GS\|=3.0V	2400
		\|V_GS\|=5.0V	1800
	栅极总电荷 Q_g典型值(nC)		1.5
	输入电容 C_iss典型值(pF)		43
封装	TSOP6F		2.9mm×2.8mm；t=0.8mm

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